單晶爐冷卻系統:其特征在于，該系統包括抽氣裝置、排氣管和冷卻管;所述抽氣裝置的一端連接排氣管，所述排氣管連接單晶爐體，所述抽氣裝置的另一端連接冷卻管，所述冷卻管連接單晶爐體;抽氣裝置用于通過排氣管將單晶爐體內的高溫氣體抽出，并從冷卻管流入單晶爐體內，對單晶爐體外的高溫氣體進行冷卻。
半導體工藝設備為大規模半導體制造提供了制造基礎。描繪電子產業未來的摩爾定律，必將導致未來半導體器件的集成化和小型化程度更高，功能更強。
單晶爐是一種全自動直拉單晶生長爐，是利用石墨加熱器在惰性氣體(氮氣、氦氣)環境中熔化多晶硅等多晶材料，采用直拉法生長無位錯單晶的設備。
單晶硅爐的模型有兩種命名方法，一種是進料量，另一種是爐膛直徑。如120、150等型號由進料量決定，85爐指的是主爐筒直徑。
單晶硅爐的主體由主機、加熱電源和計算機控制系統組成。
單晶硅片的工藝流程
硅，地球上有很多含硅的東西。似乎90%以上都是晶硅，也就是單晶硅。太陽能級硅的純度在6N以上。
首先是石頭(所有的石頭都含有硅)。將石頭加熱至液態，再加熱至氣態。讓氣體通過一個密封的大盒子。盒子里有N個以上的子晶體用于加熱，兩端用石墨夾緊。當氣體穿過盒子時，子晶體會將其中一種氣體吸收到子晶體上，子晶體就會逐漸變厚。因為氣體變成固體，很慢，大約一個月左右，盒子里有很多長初級多晶硅。
單晶硅芯片由此進入生產過程:
1. 酸洗:用稀硝酸HNO3進行清洗，去除精煉過程中產生的表面雜質和四氯化硅。
2. 清洗:清洗酸洗后硅材料的殘留雜質。
單晶爐冷卻系統溫度范圍:1400℃。根據對晶體爐數據的查詢，晶體爐冷卻系統的溫度范圍為1400℃。單晶爐爐體材料一般為不銹鋼
